三星电子计划采用台积电工艺生产英伟达新一代芯片
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今日美股美股要闻关注「三星电子计划采用台积电工艺生产英伟达新一代芯片」。文中涉及三星电子、005930.KR、台积电、TSM.US。主体名称、时间、金额与行情数据以正文为准，不另作推断。
市场消息显示，三星电子将把台积电的3纳米制程引入下一代定制HBM芯片的基底裸片生产中，这也是双方在HBM制造领域的首次合作。英伟达此前提出了采用特定工艺的要求，三星在完成内部评估后作出接受的决定。
三星与台积电的全新合作
根据相关报道，三星电子将采用台积电的3纳米制程，为英伟达生产下一代定制HBM芯片的基底裸片。这一调整意味着三星将在HBM制造阶段展开与台积电的首次合作。
在此之前，英伟达向三星、SK海力士和美光科技提出了相关要求，希望各方采用台积电的工艺制造NVHBM基底裸片，并借助第六代DRAM技术来打造核心芯片。
生产模式的规划与评估
今年8月发布的NVHBM将英伟达的定制内存控制器集成到基片当中，其目的在于实现跨多家内存供应商的标准化实施。
经过内部评估，三星方面接受了来自英伟达的要求。不过，三星计划继续保留自主生产模式，用以制造标准HBM以及面向其他客户的定制产品。此外，三星还在评估自身的代工厂是否具备承接超额需求的能力。
相关上市公司行情表现
在资本市场上，相关上市公司的最新交易数据受到关注。其中，三星电子股票代码为005930.KR，其最新价为215500.000，涨跌幅表现为+2.62%。
另一家合作伙伴台积电的股票代码为TSM.US，其最新报价为412.610，当天的涨跌幅为-2.28%。
| 日期 | 事项 | 到2026年10月18日的状态 |
|---|---|---|
| 今年8月 | 发布NVHBM芯片 | 将英伟达定制内存控制器集成到基片中以实现标准化 |
| 周日报道 | 英伟达提出代工要求 | 要求三星、SK海力士和美光采用台积电工艺 |
| 近期 | 三星接受并进行评估 | 接受要求并计划保留自主生产标准HBM模式，同时评估代工厂产能 |
编辑总结
三星电子将首次在HBM制造阶段与台积电合作，计划采用其3纳米制程为英伟达生产下一代定制内存芯片基底裸片。三星电子005930.KR最新价215500.000，涨跌+2.62%，台积电TSM.US最新价412.610，涨跌-2.28%。
常见问题解答
问：三星电子将采用哪家企业的什么制程技术？
回：三星电子将采用台积电的3纳米制程技术。
问：英伟达对内存芯片提出了怎样的要求？
回：英伟达要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基底裸片，并采用第六代DRAM技术制造核心芯片。
问：三星电子和台积电的最新股票价格与涨跌幅分别是多少？
回：三星电子（005930.KR）最新价为215500.000，涨跌+2.62%；台积电（TSM.US）最新价为412.610，涨跌-2.28%。
